2026年4月8日，三菲化合物半導(dǎo)體光芯片制造基地項(xiàng)目簽約落戶城廂鎮(zhèn)。項(xiàng)目計(jì)劃總投資20億元，其中，一期項(xiàng)目總投資10億元，建成后將有力助推區(qū)域產(chǎn)業(yè)能級提升、未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
三菲半導(dǎo)體成立于2002年，立足自有光芯片、電芯片、算法的核心技術(shù)能力，專注于模擬光和相干光的光電一體化解決方案。為進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)、擴(kuò)大產(chǎn)能，三菲決定在城廂鎮(zhèn)投資建設(shè)三菲化合物半導(dǎo)體光芯片制造基地項(xiàng)目，主要從事InP激光器和光電探測器芯片、GaAs激光器芯片的研發(fā)與制造，打造外延生長、光芯片制造、光電融合一體化產(chǎn)業(yè)鏈。一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年8月開工建設(shè)、2028年投產(chǎn)運(yùn)營，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超10億元。
